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2006年04月24日
AMD、Rev.Gコアでは大幅に設計変更
ストレス・メモライゼーション・テクノロジ(Stress Memorization technology：SMT)とシリコンゲルマニウム(Embedded Silicon-Germanium:SiGe)を使う第3世代の歪みシリコン(Strained Silicon)トランジスタで、通常のトランジスタより42%増(同リーク電流の場合)のパフォーマンスを達成するという。トランジスタのスイッチングが42%速くなり、その分、CPUの高クロック化が可能になる。あるいは、同パフォーマンスなら消費電力を下げることが可能になる。
以前はIntelのNetBurst(Pentium 4)がコアの改良により高クロック化を進めてまいりましたが(そして
自滅しましたが(爆))、今度はAMDが高クロック化の方向へ走るようでございます(笑)まあ、とってもいい
反面教師がおりましたので、二の舞になるようなことはございませんでしょうが。
投稿者 r_suezou : 2006年04月24日 22:43 | ＰＣ/ＤＶＤの戯言 | ＰＣニュース
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