« Windows Vista 発売。深夜販売も盛況 | メイン | 1日かけてやってたこと »
2007年02月02日
Intel、AMD共に、45nmプロセス世代はHigh-k金属ゲート採用
Intel、45nmプロセスの次期CPU「Penryn」の試作に成功～High-k+金属ゲートを初採用
IBM、AMD・ソニー・東芝とHigh-k金属ゲート採用のトランジスタ技術を開発
これまで過去40年間、ゲート絶縁膜の材料には二酸化シリコン(SiO2)が用いられてきた。しかし、65nm世代ではゲート絶縁膜の厚みが1.2nmにまで薄くなり、ゲート絶縁膜を通り抜けるリーク電流が増大し、大きな問題となっていた
Intelは90nm世代の時に熱に苦しめられAMDの台頭を許すことになり、そのAMDも90nmへの移行で
リーク電流対策は出来たもののIntelから1年も遅れてしまうなんてことになってしまっておりました。
しかし、プロセス技術ではIntelとAMDの差は縮まりつつありますが、性能差は開く一方になってしまって
おりますねぇ(￣－￣；ま、以前のIntel独占状態を許さない人達も多いとは思いますので、AMDのシェア
が大幅に低下することもないとは思いますが。最近のAthlon XP後期のようなラインナップ展開が、とても
とても気になるのでございます(苦笑)
投稿者 r_suezou : 2007年02月02日 23:30 | ＰＣ/ＤＶＤの戯言 | ＰＣニュース
トラックバック
このエントリーのトラックバックURL: